台积电暂缓HBM混合键合，改采微凸点方案
导读 报道称，台积电未来在HBM内存封装上，或将跳过混合键合，转而布局5微米规格的微凸点技术。
报道称，台积电未来在HBM内存封装上，或将跳过混合键合，转而布局5微米规格的微凸点技术。
台积电正在推动供应链适配这款比现有产品尺寸更小的5微米微凸点，以此提升封装性能。韩、日供应商正与台积电协同开发，5微米微凸点预计2028年下半年实现量产。但据报道，台积电现阶段HBM内存集成封装仍将继续采用微凸点路线。这并非台积电第一次在生产端暂缓采用最新封装技术。台积电计划持续采用LowNAEUV搭配多重曝光工艺，依靠EUV设备多次曝光，在单层晶圆上刻蚀图形，一直用到1nm及以下节点的生产阶段。即便包括SK海力士在内的全行业普遍把混合键合视作芯片堆叠最高效、高性能的方案，台积电依旧选择走微凸点这条技术路线。